科鉆(上海)貿易有限公司TECDIA

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高長寬比矩形電容

隨著半導體技術革新的日新月異,對GaN的關注度也愈發高漲

由于5G通信的高速發展,帶動了整個半導體行業技術的革新。半導體材料也由新材料GaN(氮化鎵)和SiC(碳化硅)代替了原先Si(硅)材料。通訊基站為了支持高速通訊的同時并能夠有效的控制用電量,現如今正在研發一種使用GaN芯片的晶體管。而Tecdia新研發出的「高長寬比電容」能夠完美的匹配GaN芯片封裝設計,為通信市場做出貢獻。

需求

導入前實踐和課題

市場需求一款能夠與GaN芯片大小相匹配的單層陶瓷電容

解決方案

課題的解決

制作一款顛覆常識性的長寬比為1:6的矩形電容

要點

決定導入的理由

能夠滿足顧客需求的設計能力與打破常規設計的產品制造技術

結果

現狀與效果

為縮短封裝工序與降本做出貢獻

需求導入前的狀況以及課題

市場需求一款能夠與GaN芯片尺寸相匹配的單層陶瓷電容

在將GaN芯片與單層陶瓷電容打線接合時,由于GaN芯片的輸出功率非常強大,為了能匹配與之相應的需求,一般會用多根引線進行調整。而由于市場上主流的GaN芯片都以矩形為主,所以電容的長度必須要與GaN芯片所吻合。但是單層陶瓷電容的制作對長寬比有限制要求,所以需生產一款能夠與之尺寸匹配的電容并非易事

(↑目前為止的匹配方法。必須使用復數的電容與之匹配)

解決方案課題的解決

「高長寬比矩形電容」減少配件數量

Tecdia成功研制出了能夠與GaN芯片尺寸完美匹配的矩形單層陶瓷電容。一般來說電容的長寬極限比為1:3,而突破這層極限調整比例為 1:6的話不但可以免去使用多個電容排列,同時還能夠減少部件的封裝數量,降本增效。

要點決定導入的理由

能夠滿足顧客需求的設計能力與打破常規設計的產品制造技術

由于單層陶瓷電容的高長寬比的設計,會給制造上帶來諸多不便。例如在切割過程中容易碎裂,金膜容易脫落等等。而Tecdia獨有的加工技術能夠有效控制切割過程中的易碎問題,并在設計時采用表面留邊,使金膜能夠從表層滲透進入內側從而杜絕脫落的問題。同時聆聽顧客關于熱膨脹可能引起產品彎曲破裂等反饋,將底面改變成無鍍金設計。

結果狀況和效果

省去了縱向同時封裝多個電容的繁瑣,為顧客實行降本增效做出貢獻

客戶信息

微波通信業

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